journal of Applied physics j.Appl.phys

1. Y. Ando and T. Itoh, “Calculation of transmission tunneling current across arbitrary potential barriers,“ Journal of Applied Physics vol. 61, pp. 1497-1502, Feb. 1987.

2. T. Ando and S. Mori. “Effective-mass theory of semiconductor heterojunctions and superlattices.” Surface Science., vol. 113, pp. 124-130, 1982.
 
1. Y. Ando and T. Itoh, “Calculation of transmission tunneling current across arbitrary potential barriers,“ Journal of Applied Physics vol. 61, pp. 1497-1502, Feb. 1987.



2. T. Ando and S. Mori. “Effective-mass theory of semiconductor heterojunctions and superlattices.” Surface Science., vol. 113, pp. 124-130, 1982.

الأبحاث المطلوبة فى المرفقات
 

المرفقات

  • J. Appl. Phys. 61, 1497 (1987).pdf
    761.3 KB · المشاهدات: 14
  • Surface Science, Volume 113, Issues 1-3, 1 January 1982, Pages 124-130.pdf
    335.8 KB · المشاهدات: 13
يعلم الله انى عاجز عن شكرك
لك منى كل دعوات الخير
و رحم الله و الديك
 
السلام عليكم أخي العزيز
هل تسطيع ان تبحث لي عن بعض الارتيكل عن
single electron transistor
جزاك الله خير
*********************
وعليكم السلام ورحمة الله وبركاته
يا أخى أنت من يبحث لأنك تكون أكثر فهما لما تريده تحديدا
ابحث واعطنا عنوان البحث ومعلومات عنه وياريت رابطه
 
Quantum mechanical reflection at triangular ``planar-doped'' potential barriers for transistors, Chandra, Amitabh; Eastman, Lester F., J. Appl. Phys. 53, 9165 (1982)

Analytical formula of the transmission probabilities across arbitrary potential barriers, Ying He et al 2005 J. Phys. A: Math. Gen. 38 5771-5780

Modified Airy function method for the analysis of tunnelingproblems in optical waveguides and quantum-well structures
Roy, S.; Ghatak, A.K.; Goyal, I.C.; Gallawa, R.L.
IEEE Journal of Quantum Electronics
Volume 29, Issue 2, Feb 1993 Page(s):340 - 345
 
Quantum mechanical reflection at triangular ``planar-doped'' potential barriers for transistors, Chandra, Amitabh; Eastman, Lester F., J. Appl. Phys. 53, 9165 (1982)


Analytical formula of the transmission probabilities across arbitrary potential barriers, Ying He et al 2005 J. Phys. A: Math. Gen. 38 5771-5780

Modified Airy function method for the analysis of tunnelingproblems in optical waveguides and quantum-well structures
Roy, S.; Ghatak, A.K.; Goyal, I.C.; Gallawa, R.L.
IEEE Journal of Quantum Electronics
Volume 29, Issue 2, Feb 1993 Page(s):340 - 345

الأبحاث المطلوبة فى المرفقات
 

المرفقات

  • Modified Airy function method for the analysis of tunnelingproblems in optical waveguides and qu.pdf
    562.4 KB · المشاهدات: 9
  • J. Appl. Phys. 53, 9165 (1982).pdf
    340.6 KB · المشاهدات: 7
  • J. Phys. A- Math. Gen. 38 (2005) 5771–5780.pdf
    156.3 KB · المشاهدات: 9
جزاك الله خيراَ و رحم و الديك
كل عام و انتم بخير

****************************
وأنت بخير أخى الفاضل وكل الأعضاء بألف خير
 
السلام عليكم
الرجاء مساعدتي بهذه المقالة العلمية
1/1Towards a circuit theory for metallic single-electron tunnelling devices
International Journal of Circuit Theory and Applications
Volume 35, Issue 3, Date: May/June 2007, Pages: 213-238
J. Hoekstra
2/ Can single-electron integrated circuits and quantum computers be fabricated in silicon?
International Journal of Circuit Theory and Applications
Volume 28, Issue 6, Date: November/December 2000, Pages: 553-562
J. R. Tucker, T.-C. Shen
3/On the impulse circuit model for the single-electron tunnelling junction
International Journal of Circuit Theory and Applications
Volume 32, Issue 5, Date: September/October 2004, Pages: 303-321
Jaap Hoekstra
4/Simulation of single-electron logic circuits
Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics)
Volume 77, Issue 9, Date: September 1994, Pages: 65-73
Nobuhiro Kuwamura, Kenji Taniguchi, Chihiro Hamaguchi
5/Nanoelectronic single-electron transistor circuits and architectures
International Journal of Circuit Theory and Applications
Volume 32, Issue 5, Date: September/October 2004, Pages: 323-338
C. P. Gerousis, S. M. Goodnick, W. Porod
from: http://www3.interscience.wiley.com
جزاكم الله خيرا
 
السلام عليكم

الرجاء مساعدتي بهذه المقالة العلمية
1/1Towards a circuit theory for metallic single-electron tunnelling devices
International Journal of Circuit Theory and Applications
Volume 35, Issue 3, Date: May/June 2007, Pages: 213-238
J. Hoekstra
2/ Can single-electron integrated circuits and quantum computers be fabricated in silicon?
International Journal of Circuit Theory and Applications
Volume 28, Issue 6, Date: November/December 2000, Pages: 553-562
J. R. Tucker, T.-C. Shen
3/On the impulse circuit model for the single-electron tunnelling junction
International Journal of Circuit Theory and Applications
Volume 32, Issue 5, Date: September/October 2004, Pages: 303-321
Jaap Hoekstra
4/Simulation of single-electron logic circuits
Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics)
Volume 77, Issue 9, Date: September 1994, Pages: 65-73
Nobuhiro Kuwamura, Kenji Taniguchi, Chihiro Hamaguchi
5/Nanoelectronic single-electron transistor circuits and architectures
International Journal of Circuit Theory and Applications
Volume 32, Issue 5, Date: September/October 2004, Pages: 323-338
C. P. Gerousis, S. M. Goodnick, W. Porod
from: http://www3.interscience.wiley.com

جزاكم الله خيرا
وعليكم السلام ورحمة الله وبركاته
أبحاثك فى المرفقات رغم أنها مخالفه للموضوع لكن فى المرات القادمة لن تحصل عليها إلا باتباع القوانين
بالنسبة للبحث عن موضوعك السابق فأنت من يبحث وليس نحن
بالتوفيق إن شاء الله
 

المرفقات

  • 5- International Journal of Circuit Theory and Applications, Volume 32, Issue 5 (p 323-338).pdf
    302.8 KB · المشاهدات: 9
  • 4- Simulation of single-electron logic circuits.pdf
    553.2 KB · المشاهدات: 14
  • 3- International Journal of Circuit Theory and Applications, Volume 32, Issue 5 (p 303-321).pdf
    191.7 KB · المشاهدات: 14
  • 2- International Journal of Circuit Theory and Applications, Volume 28, Issue 6 (p 553-562).pdf
    144.9 KB · المشاهدات: 13
  • 1- International Journal of Circuit Theory and Applications, 35 (2007) 213-238.pdf
    252.7 KB · المشاهدات: 13
رجاء أخوتى الكرام الالتزام بشروط الموضوع حتى لايتم اغلاقه
وسوف يتم تعديل بعض متطلبات هذا الموضوع مثل
وجوب اضافة رابط البحث
تحياتى للجميع
 
السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
أولا مبارك عليكم هذا الشهر المبارك
ثانيا أرجو منكم أن تساعدونى بهذا البحث من AIP
وجزاكم الله كل خير وتقبل الله أعمالكم
Effects of two-dimensional confinement on the optical properties of InGaAs/InP quantum wire structures


http://link.aip.org/link/?APPLAB/53/995/1
 
السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
أولا مبارك عليكم هذا الشهر المبارك
ثانيا أرجو منكم أن تساعدونى بهذا البحث من AIP
وجزاكم الله كل خير وتقبل الله أعمالكم
Effects of two-dimensional confinement on the optical properties of InGaAs/InP quantum wire structures


http://link.aip.org/link/?APPLAB/53/995/1
وعليكم السلام ورحمة الله وبركاته
كل عام وأنتم بخير
رمضـــــــــان كريـــــــــم
ها هو البحث المطلوب فى المرفقات
 

المرفقات

  • Appl. Phys. Lett. 53, 995 (1988).pdf
    605.6 KB · المشاهدات: 16
جزاك الله كل خير اخى احمد
جعل الله هذا العمل فى ميزان حسناتك
 
السلام عليكم
رمضانكم مبروك
الرجاء مساعدتي بهذه المقالات العلمية

1/Single electron memory devices utilizing Al2O3 tunnel oxide barriers
Source: J. Vac. Sci. Technol. B 22, 3119 (2004);
http://dx.doi.org/10.1116/1.1821506

2/ Single electron memory devices: Toward background charge insensitive operation
Source: J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2860 (2003);
http://dx.doi.org/10.1116/1.1625957

3/Room temperature nanocrystalline silicon single-electron transistors
Y. T. Tan, T. Kamiya, Z. A. K. Durrani, and H. Ahmed
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/94/633/1

جزاك الله كل خير اخى و
جعله الله فى ميزان حسناتك
******************************************
رجاء أخى أعطنا فقط 3 أبحاث فى اليوم
وكل عام وأنتم بخير


 
السلام عليكم
رمضانكم مبروك
الرجاء مساعدتي بهذه المقالات العلمية

1/Single electron memory devices utilizing Al2O3 tunnel oxide barriers
Source: J. Vac. Sci. Technol. B 22, 3119 (2004);
http://dx.doi.org/10.1116/1.1821506

2/ Single electron memory devices: Toward background charge insensitive operation
Source: J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2860 (2003);
http://dx.doi.org/10.1116/1.1625957

3/Room temperature nanocrystalline silicon single-electron transistors
Y. T. Tan, T. Kamiya, Z. A. K. Durrani, and H. Ahmed
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/94/633/1

جزاك الله كل خير اخى و
جعله الله فى ميزان حسناتك
وعليكم السلام ورحمة الله وبركاته
الأبحاث المطلوبة فى المرفقات
لا تنسانى من صالح دعائك
 

المرفقات

  • 1- J. Vac. Sci. Technol. B Volume 22, Issue 6, pp. 3119-3123 (November 2004).pdf
    282.7 KB · المشاهدات: 20
  • 2- J. Vac. Sci. Technol. B Volume 21, Issue 6, pp. 2860-2864 (November 2003).pdf
    395.6 KB · المشاهدات: 9
  • 3- J. Appl. Phys. 94, 633 (2003).pdf
    385.3 KB · المشاهدات: 17
عودة
أعلى